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  • 李天义：SiC紫外单光

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    李天义：SiC紫外单光
    《SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究》作者：李天义，苏琳琳，周东，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
    15900
    limit2022-01-07 10:26

  • 刘兴华：基于牛眼结构

    1120

    刘兴华：基于牛眼结构
    《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院
    11200
    limit2022-01-07 10:24

  • 杨伟锋：碳化硅(4H-Si

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    杨伟锋：碳化硅(4H-Si
    《碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状》作者：杨伟锋，吴正云单位：厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）微电子与集成电路系，厦门大学物理科学与技术学院物理系
    33400
    limit2022-01-07 10:23

  • 杨敏：低硅三甲基铝产

    3120

    杨敏：低硅三甲基铝产
    《低硅三甲基铝产品的开发》作者：邢怀勇，朱熠，吉敏坤，杨敏单位：江苏南大光电材料股份有限公司
    31200
    limit2022-01-06 10:59

  • 王蓉：半导体碳化硅材

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    王蓉：半导体碳化硅材
    《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
    11000
    limit2022-01-06 10:21

  • 皮孝东：半导体碳化硅

    1490

    皮孝东：半导体碳化硅
    《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者：皮孝东单位：浙江大学硅材料国家重点实验室
    14900
    limit2022-01-05 17:02

  • 马骋：硅基氮化镓外延

    2420

    马骋：硅基氮化镓外延
    《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
    24200
    limit2022-01-05 16:53

  • 刘建勋：大尺寸硅基Ga

    2530

    刘建勋：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
    25300
    limit2022-01-05 16:49

  • 孙钱：硅衬底GaN基激

    3810

    孙钱：硅衬底GaN基激
    《硅衬底GaN基激光器研究进展》作者：冯美鑫，刘建勋，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
    38100
    limit2022-01-05 15:36

  • 视频报告 2017---功率

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    视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士，分享了功率器件之争：宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件，该领域的市场潜力非常大，对于功率器件而言，可靠性至关重要。结合目前的发展情况，对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说，硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的，已经
    99600
    limit2021-04-29 12:39

  • 【视频报告 2018】株

    15680

    【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；
    156800
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】Ado

    12460

    【视频报告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告；
    124600
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】P.S

    24630

    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    246300
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】周

    25700

    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】香

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    【视频报告 2018】香
    矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转
    78500
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】台

    9650

    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2019】晶

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    【视频报告 2019】晶
    【极智课堂】晶能光电王琼： 硅衬底UV LED技术与应用
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    limit2021-04-29 11:00

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
    124800
    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】苏

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    【视频报告 2019】苏
    报告嘉宾：苏州晶湛半导体有限公司市场总监朱丹丹博士 报告主题：《针对大功率应用的硅基氮化镓技术》
    300
    limit2021-04-29 10:26

  • 【视频报告】英诺赛科

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    【视频报告】英诺赛科
    英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
    45000
    limit2021-04-26 15:05

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