基于InGaN基硅衬底Micro-LED的多色集成转移印刷技术Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飞复旦大学副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University

1200V级硅衬底GaN纵向PiN功率二极管郭小路，钟耀宗，周宇，陈昕，闫书萌，刘建勋，孙秀建，孙钱*，杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

《硅衬底GaN基激光器研究进展》作者：冯美鑫，刘建勋，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。

【极智课堂】晶能光电王琼： 硅衬底UV LED技术与应用