电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

Condura.ultraTM无银AMB氮化硅基板---车规级功率模块用高性价比解决方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module张靖贺利氏电子中国区研发总监ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics

硅基LED照明技术进展及应用王光绪南昌大学教授WANG GuangxuProfessor of Nanchang University

基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学

硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

碳化硅基窄带紫外光电探测器崔艳霞*，李梦辉，胡鲲，耿路路，潘登，李国辉，王文艳，许并社太原理工大学

《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室

《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院

【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案

报告嘉宾：苏州晶湛半导体有限公司市场总监朱丹丹博士 报告主题：《针对大功率应用的硅基氮化镓技术》

英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两

英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两

英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告

德国 ALLOS semiconductors GmbH 总裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精确应变控制和优异发射均匀性的200mm硅基镓氮LED外延片”报告。他表示，精准的应变控制对硅基镓氮的晶圆，能够通过结合形成中间层来获得，能够让我们有精确的应变控制，之前产业是没有想象过的，能够让我们实现刚刚说的五大特点。问题是什么？ 副作用是什么？我们看没有幅面的作用，对于我们生产来说是完全可以实现的。

北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在 优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。