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马骋：硅基氮化镓外延
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马骋：硅基氮化镓外延
《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
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limit2022-01-05 16:53
【视频报告 2018】台
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【视频报告 2018】台
【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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limit2021-04-29 12:20
【视频报告 2019】苏
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【视频报告 2019】苏
报告嘉宾：苏州晶湛半导体有限公司市场总监朱丹丹博士报告主题：《针对大功率应用的硅基氮化镓技术》
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limit2021-04-29 10:26
【视频报告】英诺赛科
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英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
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limit2021-04-26 15:05
英诺赛科科技有限公司
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英诺赛科科技有限公司
英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
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limit2019-12-31 12:38
英诺赛科研发中心副总
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英诺赛科研发中心副总
英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
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limit2019-12-30 13:03