广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，

河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价的报告，结合相关的试验数据，王晶晶介绍了P型掺杂、晶体管测试、以及利用MPCVD设备来进行金刚石薄膜的沉积，利用轻等离子体处理的方法实现它的P型构造，基于金刚石等材料来制作金刚石射频器件等研究成果。

北京大学东莞光电研究院生物光环境研究中心副教授王永志分享了模拟自然光在农业生产中的应用主题报告。

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整

南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。

该视频为：中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授赵丽霞，主讲的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》学术报告。

中国农业科学院北京畜牧兽医研究所孙研研介绍了LED光谱对蛋鸡生长发育和繁殖性能的影响主题报告。

美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。

中微半导体设备(上海)有限公司主任研究员胡建正分享了介绍了基于高产率MOCVD平台 - AMEC Prismo A7TM的氮镓LED生长研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件设计、性能及可靠性分析。主要参与进行了中微第一代及第二代MOCVD的设计、工艺开发及...请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

复旦大学林燕丹教授分享了主题为“教室内间接照明对学生学习表现和情绪的影响研究”报告。她表示，健康照明是一个非常体系化的研究，不是靠一家单位做其中的一个研究它就可以得到一个结论和标准，更多的是它需要通过全方位的联合，逐个的解决其中很多的问题，最终才........请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

中国科学院苏州生物医学工程技术研究所光健康中心董建飞研究员也分享了具有复杂动态光伏窗遮阳控制的建筑物的采光模拟与分析报告。他表示，光伏（PV）遮阳系统将光伏材料与窗户处理（百叶窗，百叶窗等）结合在一起，用于建筑环境中的能量平衡。光伏遮阳系统在发电，照明控制，眩光保护等方面对建筑物有利。为了从窗户区域收获最大的太阳能，在PV遮阳元件中应用太阳能跟踪，从而可以实时移动和动态采光，但是很难通过常规方法模拟这一操作。