《面向长波长LED应用的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长研究》作者：余烨，于佳琪，邓高强，张宝林，张源涛单位：吉林大学电子科学与工程学院

《高灵敏石墨烯氮化镓探测器》作者：胡安琪, 郭霞单位：北京邮电大学

《石墨烯驱动的应力工程实现用于深紫外LED的无应变AlN薄膜的高质量外延》作者：常洪亮，魏同波，王军喜，李晋闽单位：中国科学院

【极智报告】明朔光电副总经理江维：基于石墨烯智慧路灯的道路大数据生态构建与运营

挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士、挪威Crayonano AS创始人兼首席技术官Helge WEMAN带来以石墨烯为基底和透明电极的AlG

中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。

挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED的主题

紫外LED因其在医疗、印刷、环境净化等领域的广阔应用前景，近年来市场份额日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散热问题已经成为制约紫外LED发展应用的主要瓶颈之一。复旦大学副研究员刘盼分享了烧结银芯片连接工艺与石墨烯覆铜基板对紫外LED封装的热模拟分析。刘盼2011年开发了可调制光捕捉表面，显著提升了薄膜硅基太阳能电池效率。2012年至2016年，与荷兰飞利浦照明紧密合作，共同研发了一款微缩体积照明封装系统，

瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到