《常关型 GaN PNJ-HEMT 栅极漏电机理及阈值电压稳定性》作者：化梦媛，李玲玲，王成财，姜作衡单位：南方科技大学

北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在 优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。