生长_视频搜索_第2页_半导体产业网

首页 > 视频 > 搜索

徐科：氮化镓单晶材料
3600
徐科：氮化镓单晶材料
《氮化镓单晶材料的 HVPE 法与液相法生长研究》徐科研究员中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
36000
limit2022-01-11 09:59
林科闯：大功率 GaN
4110
林科闯：大功率 GaN
大功率 GaN 蓝绿激光器芯片设计、生长和制作林科闯总经理三安光电股份有限公司
41100
limit2022-01-10 13:09
张文辉：升华法生长β
1090
张文辉：升华法生长β
《升华法生长相Ga2O3厚膜的研究》作者：张文辉，张赫之，梁红伟单位：大连理工大学微电子学院
10900
limit2022-01-07 15:00
陈凯：基于MPCVD法异
2160
陈凯：基于MPCVD法异
《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学
21600
limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化镓单晶生
750
穆文祥：氧化镓单晶生
《氧化镓单晶生长与性能研究》作者：贾志泰，穆文祥，陶绪堂单位：山东大学晶体材料国家重点实验室
7500
limit2022-01-07 14:58
朱志甫：10BN中子探测
940
朱志甫：10BN中子探测
《10BN中子探测材料生长与器件制备》作者：朱志甫，王少堂，邹继军，甘勇，汤彬单位：郑州工程技术学院，东华理工大学
9400
limit2022-01-07 14:20
张辉：氧化镓晶体的生
2340
张辉：氧化镓晶体的生
《氧化镓晶体的生长、缺陷及掺杂》作者：张辉，夏宁，刘莹莹，李成，杨德仁单位：浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学杭州国际科创中心
23400
limit2022-01-07 14:18
何云斌：ZnO多元合金
1740
何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生长、带隙调控及其紫外光电探测器研究》作者：何云斌，黎明锴，卢寅梅，张腾，陈剑，刘洋，郭紫曼，汪洋单位：湖北大学材料科学与工程学院
17400
limit2022-01-07 10:19
金雷:PVT法AlN单晶生
1790
金雷:PVT法AlN单晶生
《PVT法AlN单晶生长机理研究》作者：金雷，武红磊，程红娟，覃佐燕单位：深圳大学，中国电子科技集团公司第四十六研究所
17900
limit2022-01-06 11:07
张纪才：半极性AlN材
2040
张纪才：半极性AlN材
《半极性AlN材料的HVPE生长研究》作者：张纪才，孙茂松，李旭，刘婷单位：北京化工大学数理学院，广西大学物理科学与工程技术学院
20400
limit2022-01-06 11:04
吴亮：PVT法同质外延
2260
吴亮：PVT法同质外延
《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司
22600
limit2022-01-06 11:02
余烨：面向长波长LED
1710
余烨：面向长波长LED
《面向长波长LED应用的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长研究》作者：余烨，于佳琪，邓高强，张宝林，张源涛单位：吉林大学电子科学与工程学院
17100
limit2022-01-06 10:56
张文瑞：介稳态氧化镓
310
张文瑞：介稳态氧化镓
《介稳态氧化镓薄膜的外延生长与异质集成》作者：张文瑞单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
3100
limit2022-01-06 10:26
皮孝东：半导体碳化硅
1490
皮孝东：半导体碳化硅
《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者：皮孝东单位：浙江大学硅材料国家重点实验室
14900
limit2022-01-05 17:02
刘建勋：大尺寸硅基Ga
2530
刘建勋：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
25300
limit2022-01-05 16:49
黄思溢：基于水平常压
2520
黄思溢：基于水平常压
《基于水平常压式MOCVD的低温p-GaN生长与性能表征》作者：黄思溢，池田昌夫，张名龙，张峰，朱建军，刘建平，杨辉单位：中国科学
25200
limit2022-01-05 11:27
余佳东：等离子体密度
2640
余佳东：等离子体密度
《等离子体密度对ICP-MOCVD生长GaN薄膜的影响》作者：余佳东，罗毅，王健，张子轩，李翔，汪莱，郝智彪单位：北京信息科学与技术
26400
limit2022-01-05 11:25
赵见国：非极性(11-20
2620
赵见国：非极性(11-20
《非极性(11-20)面P型GaN和全组分InGaN的MOCVD生长与研究》作者：赵见国，陈凯，胡文晓，宫毛高，刘斌，陶涛，谢自力，严羽，张
26200
limit2022-01-05 11:22
宋文涛：液态铟氮化生
1490
宋文涛：液态铟氮化生
《液态铟氮化生长高质量氮化铟》作者：李凯，黄增立，刘争晖，徐耿钊，韩厦，陈科蓓，张春玉，宋文涛，徐科单位：中国科学院苏州
14900
limit2022-01-05 11:20
【视频报告 2018】Kaz
2360
【视频报告 2018】Kaz
特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。
23600
limit2021-04-29 12:24