教育用封装光源颜色参数漂移及热特性分析研究Analysis and research on color parameter drift and thermal properties of packaged light source applied in education王书昶常熟理工学院副教授WANG ShuchangAssociate Professor of Changshu Institute of Technology

高效率深紫外 Micro-LED尺寸依赖特性研究High-efficiency and size-dependent efficiency characteristics of UVC micro-LEDs崔旭高复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系副教授CUI XugaoAssociate Professor of Fudan University

利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本国立物质材料研究所独立研究员SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan

基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所

《高效P型掺杂镁源特性及外延中应用优劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王伟，李强强，王宏波，郑锐单位：安徽亚格盛电子新材料有限公司

《宽禁带半导体微腔polariton玻色-爱因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陈智阳，郑湖颖，汤梓荧，王亚琪单位：中山大学

《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院

厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。

常州星宇车灯股份有限公司工程师李茹分享了热界面材料的特性及其对LED车灯散热和可靠性影响的研究成果，结合具体的研究实践，她

广东省仲恺农业工程学院机电工程学院李蕊分享了《不同比例红蓝光质对金线莲形态及光合特性的影响》研究报告。介绍了不同光质对金线莲生长及光合作用的影响。在温度、湿度、CO2浓度和光合光量子通量密度都一致的条件下，以白光（LED）为对照，分析了9种红蓝不同配比的LED组合光源对金线莲定植苗生长的形态指标、叶绿素以及光合速率、气孔导度及蒸腾速率的影响。 　　结果表明：蓝红1:1处理比其他光质处理更有利于金线莲鲜重的积累，

西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的

中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低

广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，