田朋飞教授在报告中提出，并实验实现了红，绿和蓝激光二极管(RGB-LD)混合的白光系统，来同时用于基于波分复用(WDM)的高速水下无

日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。

沙特国王科技大学教授李晓航分享了《半导体深紫外激光LED和设计软件》研究报告。

郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF介绍了采用n-AlxGa1-xN低波导层连续分级生长的深紫外纳米线激光二极管光学约束优化的研究成果。研

报告嘉宾：Aixtron China Limited大客户经理李曜 报告主题：《针对未来GaAs/InP基激光器的外延大规模生产》

蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS郑州大学 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平在做“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”报告时表示，对GaN基蓝色和绿色的激光二极管（LD）的研究已经引起人们的广泛关注，在过去的几年里，为了满足激光显示应用的需求。我们提高了发光均匀性和减少基蓝光LD结构面自支撑GaN衬底上生长GaN的内部损失。同质外延GaN层的形貌是由边角料取向和GaN衬底角度很大的影响。并且通过工程InGaN/GaN量子阱的界面，我们已经实现了绿色激光器结构1.85 kA cm-2低阈值电流密度。在室温连续波作用下，绿光LD的输出功率为

耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE

复旦大学副教授田朋飞介绍了“2.70 Gbps数据速率NRZ-OOK调制的34.5米水下无线绿色激光通信”技术。 水下无线通信因其在战术监视、海洋学研究、近海石油勘探、海床勘测和监控中发挥的重要作用，在军事、工业和科学界引起了极大兴趣，人们对可靠且具有高数据速率的水下无线通信系统的需求日益增长。水下无线通信(UOWC)因其高带宽，低延迟，低功耗和高成本效益等优势成为替代传统的声学通信和射频通信的一种极具吸引力的无线通信方式。然而，水下通信在光学上非常具有挑战性。光在水中的传播因水的吸收和悬浮颗粒散射而衰