双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鹏飞西安电子科技大学Wang PengfeiXidian University

多波段光谱组合在临床医学的应用Clinical Applications of Multi - spectrum Combination Light Therapy.蓝卫河北奥特维力医疗器械有限公司董事长LAN WeiHEBEI?ULTRAVE?MEDICAL?INSTRUMENT?CO.,LTD

用于片上通信的日盲波段光电集成芯片何瑞，魏同波*，王军喜，李晋闽中国科学院半导体研究所

南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G