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徐童龄：基于NiO/β-
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徐童龄：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者：徐童龄，罗浩勋，邓郁馨，陈梓敏，裴艳丽，卢星，王钢单位：中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
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limit2022-01-07 13:50
叶建东：氧化镓基双极
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叶建东：氧化镓基双极
《氧化镓基双极型异质结功率器件研究》作者：叶建东，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 11:41
詹腾：金属氧化物/AlG
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詹腾：金属氧化物/AlG
《金属氧化物/AlGaN/GaN基多异质结深紫外光电探测器》作者：詹腾，孙剑文，伊晓燕，李晋闽单位：中国科学半导体研究所、清华大学
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limit2022-01-07 08:57
张涛：MOCVD异质外延G
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张涛：MOCVD异质外延G
《MOCVD异质外延Ga2O3薄膜及其相变的研究》作者：张涛，胡志国，程倩，冯倩，张雅超，张进成单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-06 11:39
李悦文：亚稳相正交结
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李悦文：亚稳相正交结
《亚稳相正交结构-Ga2O3薄膜的异质外延研究》作者：李悦文，修向前，许万里，施佳城，朱宇霞，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 11:09
张文瑞：介稳态氧化镓
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张文瑞：介稳态氧化镓
《介稳态氧化镓薄膜的外延生长与异质集成》作者：张文瑞单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
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limit2022-01-06 10:26
李万俊：超宽带隙氧化
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李万俊：超宽带隙氧化
《超宽带隙氧化镓材料及其日盲深紫外探测器研究》作者：李万俊，刘浩文，周树仁，黄利娟，胡郑蕊，张红，熊元强，李泓霖，叶利娟单位：重庆师范大学物理与电子工程学院，光电功能材料重庆市重点实验室
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limit2022-01-06 10:08
欧欣：异质集成氧化镓
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欧欣：异质集成氧化镓
《异质集成氧化镓材料与器件》作者：徐文慧，王轶博，游天桂，胡浩东，韩根全，欧欣单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，西安电子科技大学
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limit2022-01-05 17:43
方志来：P型氮掺杂β-
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方志来：P型氮掺杂β-
《P型氮掺杂-氧化镓材料与器件初探》作者：方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院，复旦大学光电研究院，工程与应用技术研究院
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limit2022-01-05 17:41
黄洪：单晶氧化镓深紫
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黄洪：单晶氧化镓深紫
《单晶氧化镓深紫外探测器》作者：赵晓龙，穆文祥，贾志泰，徐光伟，胡芹，黄洪，陶绪堂，龙世兵单位：中国科学技术大学，山东大学
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limit2022-01-05 17:38
黎明锴：基于二氧化锡
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黎明锴：基于二氧化锡
《基于二氧化锡的紫外光电探测器研究》作者：黎明锴，刘伯涵，肖兴林，魏皓然，刘凤新，李强，张兴业，陈粤，何云斌单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-05 17:27
吴征远：极高响应度与
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吴征远：极高响应度与
《极高响应度与增益带宽积的p型氧化镓日盲探测器》作者：吴征远，蒋卓汛，马聪聪，张浩，叶建东，张国旗，康俊勇，张统一，方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院、工程与应用技术研究院、南京大学电子科学与工程学院、厦门大学物理科学与技术学院上海大学材料基因组工程研究院
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limit2022-01-05 17:22
程其进：氧化镓基日盲
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程其进：氧化镓基日盲
《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院
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limit2022-01-05 17:20
刘增：Strategies of
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刘增：Strategies of
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，刘增，唐为华单位：北京邮电大学理学院，南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院
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limit2022-01-05 17:14
龙世兵：超宽禁带氧化
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龙世兵：超宽禁带氧化
《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学
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limit2022-01-05 17:12
【视频报告 2018】华
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【视频报告 2018】华
人工光培育植物，植物营养品质的保证是人们非常关注的方向。华南农业大学教授刘厚诚分享采用UV-A和蓝光处理对樱桃番茄果实营养品
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limit2021-04-29 12:07
日本国立佐贺大学电气
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日本国立佐贺大学电气
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的
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limit2020-02-01 16:22
中国科学技术大学龙世
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中国科学技术大学龙世
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limit2020-02-01 10:50