极智报告|日本大阪大该视频为:日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合,研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度,从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm,而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa,1000次热循环(-50-250 ℃)后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。
第三代半导体材料主要包
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