用于先进SiC功率模块的整体解决（核心设备/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫苏州博湃半导体技术有限公司市场销售总监ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

珠海雷特张哲纲博士：创新与升级，向前一步，保持核心竞争力

浙大三色仪器有限公司总经理王建平在2018光亚展期间，接受极智头条现场访问，王建平总经理现场与极智网友分享公司核心竞争力！

东莞市中镓半导体科技有限公司为中国国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料的企业。公司经营范围包括设计、研发及产销：半导体材料、器件、生产设备等。其创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，研发、生产产品包括：GaN半导体衬底材料，包括GaN衬底，GaN/Al2O3复合衬底，图形化蓝宝石衬底（PSS）；生产上述产品的设备，如激光剥离设备等。并对相应技术拥有自主知识产权，使企业在国内国际竞争中处于一个优势位置。