面向柔性显示与传感的有机薄膜晶体管器件与阵列集成Organic Thin Film Transistor Device and Array Integration for Flexible Display and Sensing郭小军上海交通大学教授GUO XiaojunProfessor of Shanghai Jiaotong University

氧化镓异质结功率晶体管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韩根全西安电子科技大学教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举，邹燕妮，赵晓龙*，侯小虎，张中方，丁梦璠，于舜杰，马晓兰，徐光伟，胡芹*，龙世兵中国科学技术大学

基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学

基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学

《大面积单晶金刚石及场效应晶体管研究》作者：王艳丰，王玮，常晓慧，张晓凡，朱天飞，刘璋成，陈根强，王宏兴单位：西安交通大学教育部物理电子器件重点实验室，西安交通大学电子与信息学部宽禁带半导体与量子器件研究所

《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院

《用于Micro LED驱动的ZnO短沟道薄膜晶体管》作者：李思哲，陈雪，吴昊，刘昌单位：武汉大学物理科学与技术学院人工微结构教育部

加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。

美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》；

西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大

与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了

加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工

河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价的报告，结合相关的试验数据，王晶晶介绍了P型掺杂、晶体管测试、以及利用MPCVD设备来进行金刚石薄膜的沉积，利用轻等离子体处理的方法实现它的P型构造，基于金刚石等材料来制作金刚石射频器件等研究成果。

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择

加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG则带来了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”研究报告氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通...