太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大学教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大学教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大学教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕

极智报告|日本理化所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。

极智报告|日本大阪大学高悦：铜颗粒烧结贴片连接SiC-MOSFET的长期可靠性研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。

日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包

日本千叶大学荣誉教授矢口博久，主题为“色彩保真度指数”。他表示，今年4月全新的CIE2017色彩保真度指数是更精确的科学使用版本，在CIE224中发布。既然色彩保真度指数目前还不能替代现有的Ra，但是CIE2017的色彩保真度指数也是可以说是CIE进展过程......

日本大阪大学教授菅沼克昭分享了宽禁带功率器件银烧结连接的可靠性及其新进展。