韩国国立首尔大学的Jung Eek SON教授分享了《作物生产系统中采用3D模型和光学模拟进行针对遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的评估》研究报告。他介绍说，在植物生产系统中，为了提高生产力和降低成本，必须提高光的利用效率，为此需要在不同的光照条件下估算冠层的光截获量。该研究以LED为光源，评估了不同生长条件下生菜的光截获、光合速率及光利用效率。采用三维扫描植物模型和射线追踪模拟方法，对莴苣的光截获率进行了估算

北京工业大学教授郭伟玲带来了高压LED及其可靠性研究的报告，介绍了当前高压LED及其可靠性的最新研究成果。

厦门大学教授陈朝分享了紫光激发高效三基色稀土荧光粉暖白光LED的研究及其应用。陈朝教授主要开展半导体光电材料、光电器件（光伏、LED和光通信）及其领域的研究，主持过国家和福建省等多项科研任务。 其团队自主研发了紫光（390nm-400nm）激发，红、蓝、绿（RGB）高效三基色掺杂稀土荧光粉。将其涂覆在紫光LED芯片上，可发出暖的白光（发光效率：大于130 lm/W，色温3000-4000k，显色指数大于90，色坐标：0.33,0.33），其发光光谱

西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。

郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的

新加坡南洋理工大学副教授DU Hejun分享了采用表面声波微流控制技术操纵微粒子进入3D阵列模型。DU Hejun研究重点包括工程应用中的数值和计算方法、MEMS和微流体、智能材料及其工程应用。报告中主要针对扩展微粒子在3D控制方面的能力，同时我们借助光学棱镜提出一项新的方法，可以采用表面声波技术同时观察垂直和水平的3D结构和排布。研究发现声辐射力对于大尺寸的微粒子（6um到20um）具有更大的影响。因此更容易形成3D线或者矩阵。

随着半导体照明的发展，尤其是室内照明的推进，人们对其效率和显色指数（Color rendering index, CRI）等品质参数等提出了更高的要求。中南大学教授汪炼成做了题为设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究的主题报告。汪炼成科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、

作为基础材料，荧光粉的技术水平与半导体照明发展密切相关，有研稀土新材料股份有限公司副总经理、教授级高级工程师刘荣辉分享了大功率照明用荧光材料研发进展。 当前，LED照明光源呈现出朝着大电流密度、高光效方向发展，第三代半导体照明向着高能、短波特性方向发展等趋势，现有大功率照明存在着结温高、散热量大，结温高降低产品使用寿命，温度高荧光粉量子效率降低，温度高硅胶热应力增大、折射率降低等问题，可以通过荧光粉料

复旦大学教授戴奇分享了《昼夜节律刺激模型与等效黑色素性勒克斯模型的差异：理论分析与实验研究》主题报告。随着LED光源技术的进步和人们对光的非视觉效应认识的加深，在室内环境中，特别是在日光不足的空间中，应用昼夜节律照明变得越来越有吸引力。人们普遍认为，光谱功率分布（SPD）、角膜照度、时间、持续时间和先前的光照暴露史是影响人体生理系统的重要因素。其中，如果了解昼夜节律系统的光谱灵敏度函数和期望的昼夜节律光

台湾交通大学的教授郭浩中在基于量子点气溶胶喷射技术的高性能全彩微显示器报告中指出，目前，光利用效率（LUE）液晶显示器仍低于2.8%。大多数无源元件，如彩色滤光片，可以吸收来自LED背光的大量光子。因此，为了满足预期的输出发光，显示器的工作功率必须大于所需功率的十倍，而RGB量子点是实现全彩色显示和解决LCD系统低光利用效率问题的一个很好的备选方案。量子点具有高的量子产率、尺寸依赖的发射波长和窄的发射半峰等特性。

加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工

基于MOVPE技术生长GaN表面的原位相干X射线研究 In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN鞠光旭美国亚利桑那州立大学助理教授 GuangxuJUAssistant Research Professor of Arizona State University, USA

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA带来了题为宽禁带功率半导体国际技术路线图的精彩报告，介绍了宽禁带功率半导体国际技

瑞典隆德大学教授、瑞典皇家科学院院士、Glo AB创始人Lars SAMUELSON带来了题为针对MicroLED和自形成光子结构的纳米线应用的精彩

河北工业大学教授徐庶：低毒性量子点复合材料LED器件应用

复旦大学教授戴奇分享了《昼夜节律刺激模型与等效黑色素性勒克斯模型的差异：理论分析与实验研究》主题报告。他表示，随着LED光源技术的进步和人们对光的非视觉效应认识的加深，在室内环境中，特别是在日光不足的空间中，应用昼夜节律照明变得越来越有吸引力。人们普遍认为，光谱功率分布（SPD）、角膜照度、时间、持续时间和先前的光照暴露史是影响人体生理系统的重要因素。其中，如果了解昼夜节律系统的光谱灵敏度函数和期望的昼

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕