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  • 中国农业大学贺冬仙教

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    中国农业大学贺冬仙教
    照强度与白色LED色温对丹参种苗生长的影响Effects of lighting intensity and color temperature of white LED on growth of Salvia miltiorrhiza transplants贺冬仙中国农业大学水利与土木工程学院教授HE DongxianProfessor of College of Water Resources and Civil Engineering, China Agricultural University
    22800
    guansheng2023-05-18 11:44

  • 厦门大学张荣 教授:氮

    20160

    厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
    201600
    guansheng2022-09-10 15:43

  • 山东大学徐现刚教授：

    21690

    山东大学徐现刚教授：
    半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    216900
    guansheng2022-09-09 15:50

  • 北京大学沈波教授：氮

    17790

    北京大学沈波教授：氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
    177900
    guansheng2022-09-09 15:47

  • 西安电子科技大学微电

    6400

    西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    64000
    limit2022-05-01 17:18

  • 大连理工大学教授王德

    6730

    大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
    67300
    limit2022-05-01 10:00

  • 美国俄亥俄州立大学教

    6660

    美国俄亥俄州立大学教
    碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    66600
    limit2022-05-01 09:55

  • 复旦大学特聘教授张清

    5750

    复旦大学特聘教授张清
    SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    57500
    limit2022-05-01 09:48

  • 南京大学教授陆海：第

    7490

    南京大学教授陆海：第
    第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授，镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
    74900
    limit2022-02-01 17:38

  • 美国普渡大学Lee A. R

    4590

    美国普渡大学Lee A. R
    UVC对SARS-CoV-2等高传染性病毒控制的原理与方法The Principle and Method of UVC for the Control of SARS-CoV-2 and Other Highly Infectious VirusesErnest R. Blatchley III--美国普渡大学Lee A. Rieth讲席教授，国际紫外协会副主席、美洲分会主席Ernest R. Blatchley III--Lee A. Rieth Professor, Purdue University, Americas Regional Vice President of IUVA
    45900
    limit2022-02-01 15:57

  • 东京大学副教授小熊久

    4590

    东京大学副教授小熊久
    用于水消毒的UV-LED：研究与应用前沿UV-LEDs for Water Disinfection: The Forefront of Research and Application小熊久美子--东京大学副教授、国际紫外协会副主席、亚洲分会主席Kumiko OgumaAssociate Professor of University of Tokyo, Asian Regional Vice President of IUVA
    45900
    limit2022-02-01 14:38

  • 瑞典皇家理工学院教授

    8710

    瑞典皇家理工学院教授
    用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden
    87100
    limit2022-01-31 13:50

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

    9840

    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    98400
    limit2022-01-31 13:44

  • 视频报告 2018--美国

    21570

    视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙
    215700
    limit2021-04-29 12:37

  • 【视频报告 2018】加

    6670

    【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30

  • 【视频报告 2018】北

    8540

    【视频报告 2018】北
    北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。
    85400
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】南

    12460

    【视频报告 2018】南
    南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大
    124600
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】香

    24230

    【视频报告 2018】香
    香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏：单片方法的优点和问题》报告中指出，大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来，LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比，led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
    242300
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】南

    18960

    【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
    189600
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】台

    9030

    【视频报告 2018】台
    来自台湾交通大学佘庆威教授，他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。
    90300
    limit2021-04-29 12:28

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