《一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法》作者：刘少煜，程新红，郑理，刘晓博，俞跃辉单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

《基于Ag、Mg金属的GaN低吸收欧姆接触研究与光电器件应用》作者：周玉刚，潘赛，郭焱，金楠，许朝军，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院