• 【视频报告 2018】南
    南昌大学方文卿教授带来了《基于光的非视觉效应重新梳理光与人类的关系》学术报告。报告中重新组织光与人之间的关系,并指出照明
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  • 【视频报告 2018】中
    中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员董建飞分享《用于刺激细胞的LED灯的设计》报告。他表示,人体细胞如何响应LED光的刺
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  • 【视频报告 2018】博
    江苏博睿光电有限公司副总经理梁超分享了《全光谱照明光谱的开发与人本照明》主题报告。他表示,我们来自产业界,我们关心我们的
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  • 【视频报告 2018】浙
    浙江大学教授、国际照明委员会副主席罗明分享了《LED照明对不同年龄群体人们工作绩效的影响》主题报告。从照度的角度来看呢,我
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  • 【视频报告 2018】国
    佛山市国星光电股份有限公司电研发中心副主任兼白光器件事业部副总经理谢志国在《LED健康照明器件的技术研究及产品应用》报告中
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  • 【视频报告 2018】温
    温州医科大学附属眼视光医院周佳玮教授分享了《健康视觉的光需求:机遇与挑战》报告。他表示,目前很多实验都是基于细胞和动物做
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  • 【视频报告 2018】福
    福州大学的林维明教授带来了《基于APWM-PFM控制的降压Cuk/LLC单级LED驱动电路》主题报告。
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  • 【视频报告 2018】中
    陈雄斌研究员在报告中介绍了单向710Mbps传输VLC系统和对称的100Mbps互联网接入系统。他表示,可见光通信这项无线光通信新技术比
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  • 【视频报告 2018】锐
    奥地利的锐高照明电子亚太研发负责人Tjaco MIDDEL先生分享了《IP连接:驱动照明与超越照明》主题报告。报告中详细介绍了最新的驱
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  • 【视频报告 2018】复
    田朋飞教授在报告中提出,并实验实现了红,绿和蓝激光二极管(RGB-LD)混合的白光系统,来同时用于基于波分复用(WDM)的高速水下无
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  • 【视频报告 2018】中
    LED的应用早已不限于植物,对鱼类影响的研究也在继续,中科院海洋所教授李贤做了LED光对海水鱼类生长和代谢的影响的报告。
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  • 【视频报告 2018】古
    作为LED在农业光照领域较早的应用,LED植物工厂发展迅速。日本植物工厂研究会会长古在丰树做了精彩报告,分享了LED植物工厂的挑
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  • 【视频报告 2018】华
    人工光培育植物,植物营养品质的保证是人们非常关注的方向。华南农业大学教授刘厚诚分享采用UV-A和蓝光处理对樱桃番茄果实营养品
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  • 【视频报告 2018】中
    对于植物工厂中植物的培养,合适的光环境非常重要。中国农业大学教授贺冬仙做了植物工厂水培生菜育苗的LED光环境调控的报告。
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  • 【视频报告 2018】英
    世界农业正在向可持续性和资源利用效率创新驱动的新技术范式过渡。通过持续的智能、绿色和增长革命以及市场的新需求,这种新模式
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  • 【视频报告 2018】日
    日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
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  • 【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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  • 【视频报告 2018】AIX
    一直以来,高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战,宽禁带功率器件的应用,将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授,AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告,分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比,驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难,这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度,这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2018】北
    垂直氮化镓器件,尤其是硅衬底上,因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上,北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践,分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果,首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。
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    limit2021-04-29 12:05
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