中国科学院半导体研究所副研究员杨华在介绍了照明与显示技术的集成框架研究报告。他表示，技术、成本和应用场景是照明与现实技术融合的关键因素。通过对光源技术发展的分析目前主要的照明技术与显示技术的基本架构、控制难度和成本组成。给出了照明与现实技术融合的技术与成本条件。同时对照明与现实技术融合的应用场景进行了分类分析。 　　照明和显示的融合是随着灯具技术适应更多样化的需求以及显示控制技术成本的降低，使得产品既能提供一定显示功能，同时也能够提供照明功能技术趋势，它主要涉及到的技术内容可能包括廉价怎么降低成本

苏州大学功能纳米与软物质研究院教授冯敏强在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介绍什么做白光OLED及应用，并从材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平在做“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”报告时表示，对GaN基蓝色和绿色的激光二极管（LD）的研究已经引起人们的广泛关注，在过去的几年里，为了满足激光显示应用的需求。我们提高了发光均匀性和减少基蓝光LD结构面自支撑GaN衬底上生长GaN的内部损失。同质外延GaN层的形貌是由边角料取向和GaN衬底角度很大的影响。并且通过工程InGaN/GaN量子阱的界面，我们已经实现了绿色激光器结构1.85 kA cm-2低阈值电流密度。在室温连续波作用下，绿光LD的输出功率为

耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE

中国科学院半导体研究所梁萌分享了“二位缓冲层氮化物异质外延”研究报告；他介绍说，石墨烯缓冲层氮化物异质外延，初步实现了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯边界与Bridge site，将优先成核位置。我们在石墨烯上来进行一个类似纳米柱上的生长，做了一些研究，通过调整晶核生长得到纳米柱的结构，在图形化的衬底上也长出来一些趋向比较一致的石墨烯的纳米柱，但是这根趋向一致性主要是硅的衬底，因为石墨烯是单纯的材料，石墨烯生长会受到衬底的影响，所以硅是单层多层，单层的话趋向是非常一致的，层数变多会有一定的紊乱，加氮受到衬底的

瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到

中国农业大学水利与土木工程学院教授贺冬仙做了关于光强和LED光谱对水培菠菜生长及品质影响的报告。贺冬仙近10年来，以第一作者/通讯作者发表SCI/EI论文15篇，主持50万元以上的国家/省部级科研课题9项。取得授权发明专利7项、实用新型6项和软件著作权9项。她的创新性成果及其学术价值包括：（1）围绕珍稀濒危药用铁皮石斛开展了10多年以上光合生理研究，从气体交换、电子传递、气孔运动方面确立了CAM植物的环境生理研究方法，可扩展到石斛属、兰科植物和其他药用植物研究。（2）攻克了高光效人工光源、嵌入式组态化环境

南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G

中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低

英国布里斯托大学教授Martin KUBALL做了关于极限GaN射频FETs - GaN-on-Diamond技术的报告，具体介绍了该技术的研究背景，并结合相关数据，介绍了该技术的研究成果，及未来的一些应用领域。 其中，Martin KUBALL表示氮化镓的发展势头很强劲，当前，通讯、雷达等应用依旧是建立在碳化硅衬底氮化镓基础上的，随着数据化的发展，需要的能量越来越多，而碳化硅上的氮化镓也会有局限，开发金刚石衬底是一个不错的尝试。Martin KUBALL详细分享了当前开发GaN-on-Diamon

西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。

广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，

郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新介绍了高质量金刚石的CVD生长。金刚石是自然界产生的最坚硬的一种材料，因为它极高的硬度，一直被当做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有应用，日常生活以及工业生产中都能用到金刚石。除了高硬度以外，金刚石还有很多其他独特的特点，很适合当做半导体材料，比如非常高的带隙、电压、非常高的热传导性等，这些特点使得金刚石一直被认为是重要的，也是非常有潜力的下一代半导体器件的原料。把金刚石材料转变成金刚石器件还有很长的路要走，也需要很多高品质的材料，这是非常基本的一步。

河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价的报告，结合相关的试验数据，王晶晶介绍了P型掺杂、晶体管测试、以及利用MPCVD设备来进行金刚石薄膜的沉积，利用轻等离子体处理的方法实现它的P型构造，基于金刚石等材料来制作金刚石射频器件等研究成果。

北京农业智能装备技术研究中心陈晓丽分享了“LED红蓝交替光对生菜生长及品质的影响”研究报告。

中国农业大学童勤分享了通过绿光LED调节鸡蛋孵化研究报告。

北京大学东莞光电研究院生物光环境研究中心副教授王永志分享了模拟自然光在农业生产中的应用主题报告。

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

德国ALLOS Semiconductors GmbH市场总监Alexander LOESING带来“无碳掺杂GaN-on-Si大外延片实现低漏电流”报告。 “我们已经在（111）硅衬底上通过MOVPE生长了150mm的硅衬底GaN外延片；并且已经通过增加GaN厚度到7 ?m能够显示有效的隔离。同时，已经可以展示进一步提高晶体质量提高隔离效果；在XRD下的FWHM为 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我们证明了通过优化GaN和Si衬底之间核/缓冲层以及GaN层的插入层的