• 武汉大学工业科学研究
    无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53
  • 南京大学教授修向前:
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
    78800
    guansheng2023-05-18 16:18
  • 厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛,其中,LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口,伴随着元宇宙等新时代的展开,Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇,作为应用的支撑,技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战,从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
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    guansheng2022-09-10 15:43
  • 中国科学院苏州纳米技
    常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底,材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高,阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战,GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等,分享了GaN单晶衬底生
    122700
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 圆桌对话:碳化硅、氮
    主题对话环节,北京大学沈波教授主持下,中科院半导体所研究员赵德刚,中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平,清华大学长聘副教授汪莱,中科院苏州纳米所研究员孙钱,南京大学教授陈鹏,中科院长春光机所研究员孙晓娟,南京大学教授陆海,江南大学教授敖金平,中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵,浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树,中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
    123900
    guansheng2022-09-08 15:57
  • 圆桌对话:MOCVD外延
    主题对话环节,北京大学沈波教授主持下,中科院半导体所研究员赵德刚,中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平,清华大学长聘副教授汪莱,中科院苏州纳米所研究员孙钱,南京大学教授陈鹏,中科院长春光机所研究员孙晓娟,南京大学教授陆海,江南大学教授敖金平,中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵,浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树,中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
    125200
    guansheng2022-09-08 15:55
  • 中国科学技术大学谭鹏
    零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举,邹燕妮,赵晓龙*,侯小虎,张中方,丁梦璠,于舜杰,马晓兰,徐光伟,胡芹*,龙世兵中国科学技术大学
    78400
    guansheng2022-09-02 16:03
  • 中国科学技术大学龙世
    氧化镓半导体器件龙世兵*,徐光伟,赵晓龙,侯小虎中国科学技术大学
    86800
    guansheng2022-09-02 15:59
  • 中国科学院半导体研究
    锑化物超晶格红外探测器的MOCVD生长技术研究吴东海中国科学院半导体研究所
    54400
    guansheng2022-09-01 12:15
  • 爱思强方子文:促进宽
    促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德国爱思强股份有限公司中国区副总经理FANG ZiwenDeputy General Manage,China AIXTRON SE
    59400
    limit2022-05-01 17:25
  • 启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    72600
    limit2022-05-01 17:19
  • 大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
    69700
    limit2022-05-01 10:00
  • 南京大学教授陆海:第
    第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授,镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
    76500
    limit2022-02-01 17:38
  • 艾迈斯欧司朗技术应用
    UVC LED的技术发展及其创新应用Technical Development and Innovative Application of UVC LED迟光伟--艾迈斯欧司朗技术应用经理CHI GuangweiTechnical Application Manager, ams Osram
    44000
    limit2022-02-01 15:32
  • 安吉尔集团中央研究院
    UVC-LED在净饮水市场的应用现状以及亟需解决的技术问题The Application Status of UVC-LED in the Water Purification Market and the Technical Problems Awaiting Solutions张建芳--安吉尔集团中央研究院副院长ZHANG JianfangDeputy Director of Angel Group Central Research Institute
    43900
    limit2022-02-01 14:41
  • 京东方首席科学家袁广
    未来显示技术的发展方向Display Technology Development and Technical Challenges袁广才--京东方科技集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家YUAN Guangcai--President and Chief scientist of DisplaySensor Research Institute of BOE
    116300
    limit2022-01-31 13:53
  • 黄火林:GaN基增强型H
    《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者:黄火林单位:大连理工大学光电工程与仪器科学学院
    13200
    limit2022-01-10 11:07
  • 梅洋:GaN基VCSEL技术
    《GaN基VCSEL技术进展》作者:梅洋,许荣彬,应磊莹,龙浩,郑志威,张保平单位:厦门大学电子科学与技术学院
    12300
    limit2022-01-10 10:40
  • 吴挺竹:利用ALD技术
    《利用ALD技术改善mini-LED的光电与通信性能》作者:卢霆威,赖寿强,潘建华,陈金兰,黄岳,叶方顺,郭浩中,陈忠,吴挺竹 单位:厦门大学电子科学系,台湾阳明交通大学光电工程学系
    8000
    limit2022-01-10 10:28
  • 吴帆正树:碳化硅沟槽
    《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者:吴帆正树,张清纯,马宏平,张洁,侯欣蓝,张园览单位:复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
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    limit2022-01-07 13:30
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