国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era黄鑫北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总经理HUANG XinVice General Manager of Beijing OnMicro Electronics Co., Ltd.

后快充时代的氮化镓功率器件产业化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王荣华润新微电子（大连）有限公司副总经理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics

Si基GaN器件及系统研究与产业前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大学深港微电子学院院长、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology

Ga2O3光电二极管的可控制备及应用Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes卢红亮复旦大学微电子学院教授LU HongliangProfessor of Fudan University

第三代半导体技术MicroLED光电显示世界周佳利晶微电子技术（江苏）有限公司 总经理助理/Micro LED研究院副院长ZHOU JiaLEADSTAR Micro-Crystal Display Corporation(JiangSu)Ltd.

Micro-LED 显示产业化进展与挑战秦锋天马微电子集团研发中心总经理、Micro-LED研究院院长QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.

全GaN功率器件与集成研究黄森*，蒋其梦，王鑫华，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

高可靠功率系统集成的发展和挑战Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰泽中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理，广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

江苏南大光电材料股份有限公司陈化冰副总裁受邀出席第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛期间，接受极智头

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在 优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。

　　青岛精诚华旗微电子设备有限公司是专业的半导体工艺设备及先进材料专用设备研发、制造厂家。致力于为半导体、高新材料提供先进的专用设备，工艺涵盖扩散、氧化、退火、合金、薄膜淀积（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、外延、烧结等工艺。精诚华旗拥有十几年的专业研发制造经验、半导体工艺设备覆盖一、二、三代半导体材料-硅、砷化镓、氮化镓等等。产品服务广泛应用于行业内的大专院校、科研院所、半导体制造企业工厂等。主要产品有:4"-8"扩散炉系列,LPCVD系统,PECVD系统,VPE系统,扩散炉炉体系列及真空炉系列。4"-8"