异质集成氮化镓功率模块的量产制造工艺研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江实验室研究员WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

用于蓝绿光Mini/Micro-LED生产的MOCVD新型装备Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陈耀中微公司MOCVD工艺总监Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

化合物半导体工艺设备解决方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王显刚北京北方华创微电子装备有限公司LED及化合物半导体行业发展部总经理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.

SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

《宽禁带半导体工艺气体纯化》作者：江晓松单位：上海先普气体技术有限公司

OMMIC公司董事长、巴黎高等电子研究所终身教授Marc Christian ROCCHI（四川益丰基础研发部部长王祁钰代讲）介绍了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品》主题报告，报告中将首先从射频性能和可靠性的角度来综述GaN on Si工艺。检查各种10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高达35%，增益23 dB。从20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的宽带LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器来演示这些工艺的性能

为了使基于AlGaN材料的深紫外LED能够更广泛地应用于固化、水和空气的净化及医疗消毒等各方面，必须要大幅地降低其成本。提高深紫

上海大学教授，Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮分享了大批量工艺制备的高质量氮化铝模板材料表征分析。报告中介绍了使用Ult

紫外LED因其在医疗、印刷、环境净化等领域的广阔应用前景，近年来市场份额日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散热问题已经成为制约紫外LED发展应用的主要瓶颈之一。复旦大学副研究员刘盼分享了烧结银芯片连接工艺与石墨烯覆铜基板对紫外LED封装的热模拟分析。刘盼2011年开发了可调制光捕捉表面，显著提升了薄膜硅基太阳能电池效率。2012年至2016年，与荷兰飞利浦照明紧密合作，共同研发了一款微缩体积照明封装系统，

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS带来了题为多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术的主题报告，报告表示，碳化硅业务的主要目标是提高效率，并介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。

本期嘉宾华中科技大学教授、博士生导师陈明祥为大家分享《紫外/深紫外LED封装技术与工艺研究》

晶科电子陈海英博士：技术工艺、标准制定与观念接受是健康照明需要面对的挑战

英诺赛科（珠海）科技有限公司副总经理金源俊介绍“200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺”报告。 由于缺乏低成本GaN体衬底，GaN被外延生长在各种基底上，最常见的是蓝宝石，碳化硅（SiC）和硅。虽然晶格常数和热膨胀系数（CTE）的失配使外延GaN很困难，特别是对于较大的Si衬底尺寸，但是对GaN生长Si衬底变得有吸引力，这是因为Si的晶圆直径大（200mm及更高）。为了替代商业的Si功率器件，GaN器件应当设计为增强型（e-mode），并通过低成本，

乾照光电目前是国内比较领先的红光制造商，来自乾照光电股份有限公司技术副总监陈凯轩分享了“蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺”报告。他首先介绍了蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺。 此外他表示，目前主流的会议室或者是户外主流使用的显示技术是LED、DLP、LCD三种，这三种显示技术LED是主动式的发光，相对于另外两种被动式的发光，它的对比度，还有它显示效果要更加的优异，现在基本上在户内、户外的显示都是逐步被LED取代。另外一个很重要的区别，DLP、LCD的拼接模块

爱思强全球副总裁Michael HEUKEN ：Micro LED显示屏-高产率MOCVD工艺路径。报告中，Michael HEUKEN 分享了关于 Micro LED相关设备的研究进展及成果，也包括一些生产平台等技术。他同时表示，未来非常期待手机显示器就.....请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀BU副总经理刘利坚介绍了LED工业中的干法刻蚀工艺技术和关键设备。刘利坚长期以来从事高端微电子装备设计开发工作，对于等离子体刻蚀和PECVD设备的硬件设计和工艺应用有丰富经验。刘利坚介绍了等离子刻蚀的一些技术问题，并具......