利用高Al组分-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所

SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

大连理工大学王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的钝化技术及电子性能”报告中介绍了缺陷到底是什么样子，缺陷如何去钝化以及进一步的研究工作进展。并把下一步的工作和进一步实用化的相关内容，包括产业方向上的发展做了详细介绍。并介绍了核心的钝化技术，比较独特，这个钝化它的研究都是建立在它的物理技术之上，所以这个测试比较强。