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  • 西安电子科技大学微电

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    西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67200
    limit2022-05-01 17:18

  • 大连理工大学教授王德

    6970

    大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
    69700
    limit2022-05-01 10:00

  • 美国俄亥俄州立大学教

    6670

    美国俄亥俄州立大学教
    碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    66700
    limit2022-05-01 09:55

  • 复旦大学特聘教授张清

    6590

    复旦大学特聘教授张清
    SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    65900
    limit2022-05-01 09:48

  • 南京大学教授陆海：第

    7660

    南京大学教授陆海：第
    第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授，镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
    76600
    limit2022-02-01 17:38

  • 美国普渡大学Lee A. R

    4590

    美国普渡大学Lee A. R
    UVC对SARS-CoV-2等高传染性病毒控制的原理与方法The Principle and Method of UVC for the Control of SARS-CoV-2 and Other Highly Infectious VirusesErnest R. Blatchley III--美国普渡大学Lee A. Rieth讲席教授，国际紫外协会副主席、美洲分会主席Ernest R. Blatchley III--Lee A. Rieth Professor, Purdue University, Americas Regional Vice President of IUVA
    45900
    limit2022-02-01 15:57

  • 东京大学副教授小熊久

    4590

    东京大学副教授小熊久
    用于水消毒的UV-LED：研究与应用前沿UV-LEDs for Water Disinfection: The Forefront of Research and Application小熊久美子--东京大学副教授、国际紫外协会副主席、亚洲分会主席Kumiko OgumaAssociate Professor of University of Tokyo, Asian Regional Vice President of IUVA
    45900
    limit2022-02-01 14:38

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

    9850

    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    98500
    limit2022-01-31 13:44

  • 许福军：AlGaN基深紫

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    许福军：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院
    34400
    limit2022-01-05 09:53

  • 【视频报告 2018】加

    6670

    【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30

  • 【视频报告 2018】北

    8600

    【视频报告 2018】北
    北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。
    86000
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】南

    12640

    【视频报告 2018】南
    南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大
    126400
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】香

    24250

    【视频报告 2018】香
    香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏：单片方法的优点和问题》报告中指出，大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来，LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比，led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
    242500
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】南

    18960

    【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
    189600
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】台

    9030

    【视频报告 2018】台
    来自台湾交通大学佘庆威教授，他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。
    90300
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】厦

    14780

    【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
    147800
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】复

    9100

    【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能，可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止，还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。
    91000
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】复

    6520

    【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授张树宇在《135%NTSC色域的CsPbX3钙钛矿量子点薄膜》主题报告中表示，全无机CsPbX3 (X=I, Br, Cl)钙钛矿量子点(QDs)由于其优异的光学性能，包括极高的光致发光量子产率、狭窄的谱线宽度和广泛的可调发射，很可能成为下一代量子点显示技术。在制造过程中避免高温和惰性气氛的新方法是室温(RT)再结晶，为低成本大批量生产CsPbX3 QDs提供了一条很有前途的途径。然而，RT合成的QDs在工作条件下的稳定性性能与传统QDs不具
    65200
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】江

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    【视频报告 2018】江
    　江苏大学左然教授分享了《AlN MOCVD的气相和表面反应机理的量子化学计算》研究报告。他介绍到，课题组利用量子化学的密度泛函
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    limit2021-04-29 12:24

  • 【视频报告 2018】南

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    【视频报告 2018】南
    【极智报告】南京大学陈琳：6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟
    135700
    limit2021-04-29 12:23

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