AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

钙钛矿中离子迁移的实时观测及其对LED及电池器件稳定性的影响研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄厦门大学微电子与集成电路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university

Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美国斯坦福大学电气工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA

C4盐生植物的产量、光利用效率和营养品质--马齿苋在不同光照强度、光周期和日照积分下的室内生长Yield, Light Use Efficiency and Nutritional Quality of C4 Halophyte Portulaca oleracea L. Grown Indoors under Different Light Intensities, Photoperiods and Daily Light Integrals何洁新加坡南洋理工大学教授HE JieProfessor of Nanyang Technological University, Singapore

照强度与白色LED色温对丹参种苗生长的影响Effects of lighting intensity and color temperature of white LED on growth of Salvia miltiorrhiza transplants贺冬仙中国农业大学水利与土木工程学院教授HE DongxianProfessor of College of Water Resources and Civil Engineering, China Agricultural University

第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究

中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技

半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分

零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举，邹燕妮，赵晓龙*，侯小虎，张中方，丁梦璠，于舜杰，马晓兰，徐光伟，胡芹*，龙世兵中国科学技术大学

氧化镓基双极型异质结功率器件研究叶建东*，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓南京大学

基于单根Ga2O3纳米线的深紫外光电探测性能马淑芳*，刘松，韩斌，尉国栋，董浩琰，牛艳萍，郝晓东，许并社陕西科技大学

氧化镓半导体器件龙世兵*，徐光伟，赵晓龙，侯小虎中国科学技术大学

基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰，陈剑，樊启贤，毛佳兴，张忠辉，许雅俊，卢寅梅，何云斌*湖北大学

n型Ga2O3薄膜的MOCVD同质外延焦腾，陈威，李政达，刁肇悌，党新明，陈沛然，董鑫*吉林大学

NiO/-Ga2O3p+-n异质结二极管深能级缺陷研究汪正鹏，巩贺贺，郁鑫鑫，叶建东*，顾书林，任芳芳，张荣，郑有炓南京大学

两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所

大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学

Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学