温州医科大学眼科医院侯方教授在“不同亮度下的对比敏感度”研究报告。 报告中表示，对比敏感度函数（CSF）对正常人群和临床人群的空间视觉进行了全面的评估。人们在不同的亮度条件下执行日常的视觉任务。在低亮度条件下CSF的变化对于某些人群来说尤其有用。因此，重要的是要知道，1）不同的亮度条件如何影响人类CSF，2）在不同亮度条件下测量的CSF形状是否相同。这些答案将使我们能够在标准测试条件下使用CSF来预测人类在各种亮度条件下的性能。 更多精彩报告请点击页面顶端下载极智头条APP。

刘召军于2011年香港科技大学博士毕业，主要从事先进显示技术（Micro-LEDs、微显示、AR/VR等）、第三代半导体电子器件与光电器件集成（氮化镓HEMT、LED集成）等方面的研究。世界上最早从事氮化镓Micro-LED技术的研究者之一，多项研究成果均为世界领先水平。研究成果获2011年香港科技大学“百万港元”创业大赛亚军。现为多家国际高水平学术期刊审稿人、IEEE Member、国际信息显示学会永久会员、国际显示学会北京分会技术委员、广东省公共资源交易评审专家，深圳科技创新委科技专家。刘博士作为项目

LED已实现了全可见光谱范围的光发射，在紫、蓝、绿、黄谱段使用AlInGaN材料制备，在橙、红谱段以AlGaInP材料性能最佳。南昌大学教授李树强分享了“AlGaInP红光LED光效提升方法及近期进展”研究报告。他表示，AlGaInP LED发光波长可覆盖570nm到780nm范围，广泛用于显示屏、交通信号灯、汽车尾灯、城市亮化、舞台灯光、多色混光高品质白光照明、植物生长、医疗等领域。 LED功率转换效率由内量子效率、输出效率和阻性损耗决定，其中内量子效率主要取决于有源区的载流子限制能力和材料生长质量，

丹麦科技大学教授欧海燕SiC白光发射主题报告；报告中指出，碳化硅（SiC）是宽间接带隙半导体，发光效率低。 但这种材料除了丰富之外，还具有非常独特的物理性能，如良好的导热性，高击穿电场等。 因此，研究其发光性能是非常有意义的，以便充分利用这种材料。 在这个演讲中，介绍两种方法，即通过施主-受主对掺杂SiC以及用制造多孔SiC的方法来制造发光的SiC。通过氮与硼共同重掺杂SiC，以证明有强烈的黄光发出。 之后，在优化钝化条件之后，多孔SiC发射强蓝绿色的光也被证明。当发黄光的共掺杂SiC和发蓝绿光的多孔Si

山东大学教授陶绪堂做了晶体生长和β-Ga2O3表征的最新进展的报告，分享了在氧化镓晶体生长方面的研究实践及成果。

西安交通大学教授王宏兴做了关于微机电系统单晶金刚石微结构制备的报告。

山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮做了高温高压单晶实验室生长金刚石技术的介绍，分享了单晶金刚石生产技术方面的工作及成果。

复旦大学的副教授田朋飞则带来了“基于微LED与钙钛矿量子点结合的高带宽白光通信系统”报告。他表示，可见光通信是一种先进的无线通信技术，它可以将固态照明和光通信结合在一起。由大尺寸的蓝光LED和黄色荧光粉组成的白光LED是常用的固态照明光源，但是黄色荧光粉的调制带宽很低，限制了白光LED的最高数据通信速率，因而需要发展新型高带宽白光LED。他介绍了一种新型高带宽白光系统，使用蓝光氮化镓基霯ED来激发具有黄色发光光谱的钙钛矿量子点CsPbBr1.8I1.2来实现高速实时可见光通信。

苏州大学功能纳米与软物质研究院教授冯敏强在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介绍什么做白光OLED及应用，并从材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE

瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到

中国农业大学水利与土木工程学院教授贺冬仙做了关于光强和LED光谱对水培菠菜生长及品质影响的报告。贺冬仙近10年来，以第一作者/通讯作者发表SCI/EI论文15篇，主持50万元以上的国家/省部级科研课题9项。取得授权发明专利7项、实用新型6项和软件著作权9项。她的创新性成果及其学术价值包括：（1）围绕珍稀濒危药用铁皮石斛开展了10多年以上光合生理研究，从气体交换、电子传递、气孔运动方面确立了CAM植物的环境生理研究方法，可扩展到石斛属、兰科植物和其他药用植物研究。（2）攻克了高光效人工光源、嵌入式组态化环境

英国布里斯托大学教授Martin KUBALL做了关于极限GaN射频FETs - GaN-on-Diamond技术的报告，具体介绍了该技术的研究背景，并结合相关数据，介绍了该技术的研究成果，及未来的一些应用领域。 其中，Martin KUBALL表示氮化镓的发展势头很强劲，当前，通讯、雷达等应用依旧是建立在碳化硅衬底氮化镓基础上的，随着数据化的发展，需要的能量越来越多，而碳化硅上的氮化镓也会有局限，开发金刚石衬底是一个不错的尝试。Martin KUBALL详细分享了当前开发GaN-on-Diamon

西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。

广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，

郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新介绍了高质量金刚石的CVD生长。金刚石是自然界产生的最坚硬的一种材料，因为它极高的硬度，一直被当做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有应用，日常生活以及工业生产中都能用到金刚石。除了高硬度以外，金刚石还有很多其他独特的特点，很适合当做半导体材料，比如非常高的带隙、电压、非常高的热传导性等，这些特点使得金刚石一直被认为是重要的，也是非常有潜力的下一代半导体器件的原料。把金刚石材料转变成金刚石器件还有很长的路要走，也需要很多高品质的材料，这是非常基本的一步。

中国农业大学童勤分享了通过绿光LED调节鸡蛋孵化研究报告。

北京大学东莞光电研究院生物光环境研究中心副教授王永志分享了模拟自然光在农业生产中的应用主题报告。

南方科技大学副教授刘召军在分享“可编程有源矩阵Micro-LED显示器的设计与制作”报告中表示，Micro-LED还可以被用于微型投影仪，不仅所需光路简单还可以大大提高整个系统的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件应用中也炙手可热，适用于低功耗高亮度大视角的头戴式眼镜等应用场景。此外，基于氮化镓材料的Micro-LED在多种极端环境下依然能保持高度稳定性和可靠性，这使得其在特种应用方面前景更加广阔。刘教授重点对介绍了 Micro-LED的电学特性和最优化设计； 电流控制电流源设计架构的有源选址Micr

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包