基于多边形微腔的表面等离激元在LED中的发光增强效应Luminescence Enhancement Effect of Cavity Plasmonic based on Polygonal Microcavity in LED陈鹏南京大学教授CHEN PengProfessor of Nanjing University

基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰，陈剑，樊启贤，毛佳兴，张忠辉，许雅俊，卢寅梅，何云斌*湖北大学

面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学

《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院

《BiVO4和WO3异质结增强GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陈志忠单位：北京大学

加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工

美国哈佛大学医学院麻省总医院黄樱樱在“碘化钾增强抗菌剂光动力失活”报告时指出，目前耐药菌已经成为医学界很大的问题，根据报道估计在2050年的时候大概会有30亿人会受到影响，自从1940年抗生素发明以来，就不断有耐药菌产生，我们又没有办法发掘新的抗生素，现在抗生素还是从真菌里面提取的。据估计到2050年的时候大概有1亿人受到影响，远远就超过了癌症对人生命的影响。其中，最受影响的地区我认为就是欠发达地区，比如像亚洲、中国、非洲和南美洲，这都是比较受影响的地方。 更多精彩报告，请点击页面顶端下载极智头条APP

英诺赛科（珠海）科技有限公司副总经理金源俊介绍“200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺”报告。 由于缺乏低成本GaN体衬底，GaN被外延生长在各种基底上，最常见的是蓝宝石，碳化硅（SiC）和硅。虽然晶格常数和热膨胀系数（CTE）的失配使外延GaN很困难，特别是对于较大的Si衬底尺寸，但是对GaN生长Si衬底变得有吸引力，这是因为Si的晶圆直径大（200mm及更高）。为了替代商业的Si功率器件，GaN器件应当设计为增强型（e-mode），并通过低成本，