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  • 汪莱：宽禁带半导体异

    1180

    汪莱：宽禁带半导体异
    《宽禁带半导体异质嫁接及其器件应用》作者：刘洋，汪莱，郝智彪，罗毅单位：清华大学电子工程系
    11800
    limit2022-01-07 10:12

  • 楚春双：基于III族氮

    1950

    楚春双：基于III族氮
    《基于III族氮化物的深紫外光电转换器件的研究》作者：楚春双，张勇辉，高元斌，杭升，黄福平，张紫辉单位：河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室，河北工业大学电子信息工程学院
    19500
    limit2022-01-07 08:50

  • 周玉刚：基于Ag、Mg金

    1580

    周玉刚：基于Ag、Mg金
    《基于Ag、Mg金属的GaN低吸收欧姆接触研究与光电器件应用》作者：周玉刚，潘赛，郭焱，金楠，许朝军，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
    15800
    limit2022-01-06 11:46

  • 蔡端俊：氢元素对深紫

    3290

    蔡端俊：氢元素对深紫
    《氢元素对深紫外材料和器件的害处》作者：蔡端俊，卢诗强，钟志白，郭斌，陈小红，黄生荣，李书平，June Key Lee，康俊勇单位：厦门大学物理科学与技术学院
    32900
    limit2022-01-06 11:45

  • 吴雅苹：氮化物半导体

    590

    吴雅苹：氮化物半导体
    《氮化物半导体自旋调控及其器件应用》作者：吴雅苹，宋安柯，吴启鹏，林涤，李煦，吴志明，康俊勇单位：厦门大学物理系
    5900
    limit2022-01-06 10:27

  • 李强：hBN薄膜的磁控

    860

    李强：hBN薄膜的磁控
    《hBN薄膜的磁控溅射制备及器件应用》作者：李强，张启凡，张浩然，王茗迪，云峰单位：西安交通大学电子科学与技术学院
    8600
    limit2022-01-06 10:12

  • 欧欣：异质集成氧化镓

    1750

    欧欣：异质集成氧化镓
    《异质集成氧化镓材料与器件》作者：徐文慧，王轶博，游天桂，胡浩东，韩根全，欧欣单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，西安电子科技大学
    17500
    limit2022-01-05 17:43

  • 方志来：P型氮掺杂β-

    2560

    方志来：P型氮掺杂β-
    《P型氮掺杂-氧化镓材料与器件初探》作者：方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院，复旦大学光电研究院，工程与应用技术研究院
    25600
    limit2022-01-05 17:41

  • 龙世兵：超宽禁带氧化

    3430

    龙世兵：超宽禁带氧化
    《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学
    34300
    limit2022-01-05 17:12

  • 袁昊：万伏级4H-SiC基

    2180

    袁昊：万伏级4H-SiC基
    《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
    21800
    limit2022-01-05 17:00

  • 陆海：面向复杂电气应

    4440

    陆海：面向复杂电气应
    《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
    44400
    limit2022-01-05 16:58

  • 朱广润：微波毫米波器

    2330

    朱广润：微波毫米波器
    《GaN微波毫米波器件新进展》作者：张凯，朱广润，代鲲鹏，贾晨阳，房柏彤，李传浩，周浩，孙岩，吴立枢，程钰杰，王伟凡，李忠辉，陈堂胜单位：南京电子器件研究所，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
    23300
    limit2022-01-05 16:51

  • 刘建勋：大尺寸硅基Ga

    2510

    刘建勋：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
    25100
    limit2022-01-05 16:49

  • 刘斌：量子点/氮化物

    1880

    刘斌：量子点/氮化物
    《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者：刘斌，许非凡，余俊驰，陶涛，陆海，陈敦军，张荣单位：南京大
    18800
    limit2022-01-05 11:31

  • 许福军：AlGaN基深紫

    3390

    许福军：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院
    33900
    limit2022-01-05 09:53

  • 视频报告 2017---功率

    9950

    视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士，分享了功率器件之争：宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件，该领域的市场潜力非常大，对于功率器件而言，可靠性至关重要。结合目前的发展情况，对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说，硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的，已经
    99500
    limit2021-04-29 12:39

  • 【视频报告 2018】加

    6670

    【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30

  • 【视频报告 2018】南

    12520

    【视频报告 2018】南
    南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大
    125200
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】厦

    14780

    【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
    147800
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】周

    25700

    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25

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