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  • 【视频报告 2018】苏

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    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】河

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    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】台

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    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】国

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    【视频报告 2018】国
    佛山市国星光电股份有限公司电研发中心副主任兼白光器件事业部副总经理谢志国在《LED健康照明器件的技术研究及产品应用》报告中
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    limit2021-04-29 12:09

  • 【视频报告 2018】AIX

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    【视频报告 2018】AIX
    一直以来，高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战，宽禁带功率器件的应用，将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】中

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    【视频报告 2019】中
    报告嘉宾：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员 黄勇 主题报告：《锑化物半导体材料及器件》
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    limit2021-04-29 10:24

  • 【视频报告 2019】Ism

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    【视频报告 2019】Ism
    视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
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    limit2021-04-29 10:23

  • 【极智课堂】中国科学

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    【极智课堂】中国科学
    深紫外线检测技术具有重要的应用，例如紫外线成像，紫外线/红外线双重引导，预警系统，紫外线通讯，紫外线干扰等。中国科学技术
    234400
    limit2021-04-26 16:22

  • 易美芯光梁玥：电荷转

    11120

    易美芯光梁玥：电荷转
    易美芯光梁玥：电荷转移对量子点电致发光器件寿命的影响
    111200
    limit2020-12-31 09:53

  • 深圳第三代半导体研究

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    深圳第三代半导体研究
    深圳第三代半导体研究院光电器件研发总监蒋振宇带来了紫外消毒手册解读之紫外消毒设备的精彩主题分享
    48300
    limit2020-03-12 12:52

  • 【极智课堂】西安电子

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    【极智课堂】西安电子
    西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺
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    limit2020-02-01 16:23

  • 【视频报告】欧司朗销

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    【视频报告】欧司朗销
    欧司朗光电半导体（中国）有限公司销售负责人邵嘉平做了题为超越照明 | 光电器件技术发展现状、突破点及应用趋势的主题报告，分享了当前超越照明发展趋势，他表示，照明的对于提高人们生活品质的潜力正在不断释放，超越照明的应用市场有巨大的增长潜力，在农业照明领域有很多的增长机会。欧司朗关注以人为本的光，在紫外、舞台、建筑、Micro/MiniLEDs、VCSELs等领域均在积极布局。
    313100
    limit2020-02-01 15:40

  • 中国科学技术大学龙世

    13170

    中国科学技术大学龙世
    131700
    limit2020-02-01 10:50

  • 美国NAURA-Akrion, In

    21220

    美国NAURA-Akrion, In
    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
    212200
    limit2019-12-31 13:02

  • 河北工业大学教授徐庶

    12220

    河北工业大学教授徐庶
    河北工业大学教授徐庶：低毒性量子点复合材料LED器件应用
    122200
    limit2019-12-31 10:11

  • 加拿大CROSSLIGHT半导

    32440

    加拿大CROSSLIGHT半导
    加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明分享了《宽禁带器件的设计和TCAD模拟》研究报告。早年经华人诺奖得主李政道博
    324400
    limit2019-12-30 13:04

  • 英诺赛科研发中心副总

    22280

    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
    222800
    limit2019-12-30 13:03

  • 日本德岛大学教授敖金

    32250

    日本德岛大学教授敖金
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕
    322500
    limit2019-12-29 13:00

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