Micro-LED用GaN纳米线上生长的非极性GaInN/GaN多量子壳的系统研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs卢卫芳厦门大学物理科学与技术学院物理学系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

GaN基微腔激光器的制备Fabrication of GaN based micro-cavity lasers梅洋厦门大学助理教授MEI YangAssistant Professor of Xiamen University

基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光发射调控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜厦门大学副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University

Ga2O3/GaN异质结构紫外光电探测器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黄凯厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

钙钛矿中离子迁移的实时观测及其对LED及电池器件稳定性的影响研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄厦门大学微电子与集成电路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究

氧空位在异质外延-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平*，龙浩*厦门大学

Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授

厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。

厦门大学副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子点降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子点（平均直径3nm），通过研究

厦门大学高娜带来了题为可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长的主题报告，从晶体生长热力学角度出发，采用第一性原理模拟了

报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

厦门大学教授陈朝分享了紫光激发高效三基色稀土荧光粉暖白光LED的研究及其应用。陈朝教授主要开展半导体光电材料、光电器件（光伏、LED和光通信）及其领域的研究，主持过国家和福建省等多项科研任务。 其团队自主研发了紫光（390nm-400nm）激发，红、蓝、绿（RGB）高效三基色掺杂稀土荧光粉。将其涂覆在紫光LED芯片上，可发出暖的白光（发光效率：大于130 lm/W，色温3000-4000k，显色指数大于90，色坐标：0.33,0.33），其发光光谱