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山东大学副教授穆文祥
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山东大学副教授穆文祥
-Ga2O3单晶的体晶生长与性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山东大学副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University
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guansheng2023-05-19 14:44
纳维科技总经理王建峰
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纳维科技总经理王建峰
应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
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guansheng2023-05-18 16:16
中国科学院苏州纳米技
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中国科学院苏州纳米技
常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生
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guansheng2022-09-09 15:53
山东大学贾志泰：大尺
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山东大学贾志泰：大尺
大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学
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guansheng2022-09-01 16:18
徐现刚：碳化硅单晶衬
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徐现刚：碳化硅单晶衬
《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚教授山东大学
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高质量 AlN 单
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沈波：高质量 AlN 单
《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波教授北京大学
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limit2022-01-11 17:23
徐科：氮化镓单晶材料
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徐科：氮化镓单晶材料
《氮化镓单晶材料的 HVPE 法与液相法生长研究》徐科研究员中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
穆文祥：氧化镓单晶生
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穆文祥：氧化镓单晶生
《氧化镓单晶生长与性能研究》作者：贾志泰，穆文祥，陶绪堂单位：山东大学晶体材料国家重点实验室
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limit2022-01-07 14:58
张逸韵：高温气氛退火
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张逸韵：高温气氛退火
《高温气氛退火对体材料单晶氧化镓晶体质量的研究》作者：武松浩，张逸韵单位：北京理工大学，中国科学院半导体研究所
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limit2022-01-07 14:21
金雷:PVT法AlN单晶生
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金雷:PVT法AlN单晶生
《PVT法AlN单晶生长机理研究》作者：金雷，武红磊，程红娟，覃佐燕单位：深圳大学，中国电子科技集团公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
吴亮：PVT法同质外延
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吴亮：PVT法同质外延
《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
王艳丰：大面积单晶金
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王艳丰：大面积单晶金
《大面积单晶金刚石及场效应晶体管研究》作者：王艳丰，王玮，常晓慧，张晓凡，朱天飞，刘璋成，陈根强，王宏兴单位：西安交通大学教育部物理电子器件重点实验室，西安交通大学电子与信息学部宽禁带半导体与量子器件研究所
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limit2022-01-06 10:24
黄洪：单晶氧化镓深紫
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黄洪：单晶氧化镓深紫
《单晶氧化镓深紫外探测器》作者：赵晓龙，穆文祥，贾志泰，徐光伟，胡芹，黄洪，陶绪堂，龙世兵单位：中国科学技术大学，山东大学
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limit2022-01-05 17:38
皮孝东：半导体碳化硅
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皮孝东：半导体碳化硅
《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者：皮孝东单位：浙江大学硅材料国家重点实验室
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limit2022-01-05 17:02
【视频报告 2019】奥
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【视频报告 2019】奥
奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮分享《高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战》。
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limit2021-04-29 11:04
【视频报告 2019】天
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【视频报告 2019】天
报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
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limit2020-03-19 10:27
【视频报告】厦门大学
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【视频报告】厦门大学
报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
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limit2020-03-08 10:21
奥趋光电吴亮：高功率
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奥趋光电吴亮：高功率
奥趋光电吴亮：高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战
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limit2019-05-31 17:37
中国科学院微电子研究
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中国科学院微电子研究
中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。
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limit2018-02-01 10:49
极智报告|西安交通大
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极智报告|西安交通大
西安交通大学教授王宏兴做了关于微机电系统单晶金刚石微结构制备的报告。
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limit2024-11-23 13:25