应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd

常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚 教授 山东大学

《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波 教授 北京大学

奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮分享《高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战》。

奥趋光电吴亮：高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战