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  • 世纪金光副总裁于坤山

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    世纪金光副总裁于坤山
    第三代半导体助力数字能源产业发展The wide bandgap semiconductor boosts the development of digital energy industry于坤山北京世纪金光半导体有限公司副总裁YU KunshanVice President of CENGOL
    100100
    guansheng2023-05-19 09:02

  • 江苏第三代半导体研究

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    江苏第三代半导体研究
    高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
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    guansheng2023-05-19 08:56

  • 正通远恒总经理刘兵武

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    正通远恒总经理刘兵武
    定量阴极发光CL技术在氮化物半导体中的应用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors刘兵武北京正通远恒科技有限公司总经理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd
    112400
    guansheng2023-05-19 08:55

  • 南大光电首席科学家杨

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    南大光电首席科学家杨
    新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家
    113100
    guansheng2023-05-19 08:51

  • 亚格盛电子副总经理俞

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    亚格盛电子副总经理俞
    半导体行业对高纯电子化学品质量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亚格盛电子新材料有限公司副总经理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd
    55000
    guansheng2023-05-19 08:37

  • 中国科学院半导体所研

    7060

    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70600
    guansheng2023-05-18 16:19

  • 吴玲理事长：化合物半

    12510

    吴玲理事长：化合物半
    在开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲作了题为《化合物半导体产业发展战略思考》的主旨演讲，就产业发展目前的形势，存在的问题，面临的挑战等方面的问题分享了观点看法。
    125100
    guansheng2023-04-21 14:35

  • 中国科学院半导体研究

    21100

    中国科学院半导体研究
    当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，双碳战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产
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    guansheng2022-09-10 15:45

  • 厦门大学张荣 教授:氮

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    厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
    202300
    guansheng2022-09-10 15:43

  • 中国科学院北京纳米能

    19980

    中国科学院北京纳米能
    宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据
    199800
    guansheng2022-09-10 15:42

  • 西安电子科技大学郝跃

    29100

    西安电子科技大学郝跃
    中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技
    291000
    guansheng2022-09-10 15:38

  • 山东大学徐现刚教授：

    21740

    山东大学徐现刚教授：
    半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    217400
    guansheng2022-09-09 15:50

  • 北京大学沈波教授：氮

    18020

    北京大学沈波教授：氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
    180200
    guansheng2022-09-09 15:47

  • 圆桌对话：碳化硅、氮

    12390

    圆桌对话：碳化硅、氮
    主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
    123900
    guansheng2022-09-08 15:57

  • 中国科学技术大学龙世

    8680

    中国科学技术大学龙世
    氧化镓半导体器件龙世兵*，徐光伟，赵晓龙，侯小虎中国科学技术大学
    86800
    guansheng2022-09-02 15:59

  • 中科院合肥物质科学研

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    中科院合肥物质科学研
    一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池张佳辰，韩运成*，王晓彧，何厚军，任雷，李桃生中国科学院合肥物质科学研究院中国科学技术大学湖北科技学院
    54300
    guansheng2022-09-01 16:11

  • 中国科学院半导体研究

    5440

    中国科学院半导体研究
    锑化物超晶格红外探测器的MOCVD生长技术研究吴东海中国科学院半导体研究所
    54400
    guansheng2022-09-01 12:15

  • 华中科技大学吴峰:基

    6210

    华中科技大学吴峰:基
    基于宽禁带半导体的深紫外发光与探测器件研究吴峰*，戴江南，陈长清华中科技大学
    62100
    guansheng2022-09-01 12:13

  • 中科院长春光机所刘可

    5460

    中科院长春光机所刘可
    宽禁带氧化物半导体日盲紫外探测器及其在大气臭氧检测中的应用研究刘可为*，陈星，杨佳霖，韩冬阳，侯其超，申德振中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
    54600
    guansheng2022-09-01 12:06

  • 南京大学陆海:宽禁带

    5470

    南京大学陆海:宽禁带
    宽禁带半导体紫外、极紫外及软x射线探测器陆海*，张荣，郑有炓南京大学
    54700
    guansheng2022-09-01 11:37

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