电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

全色显示材料与3D芯片集成技术Integrated technology of panchromatic display materials and 3D chips范谦东南大学下一代半导体材料研究所研究员

新型宽禁带压电半导体材料-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王钢中山大学佛山研究院院长，中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池张佳辰，韩运成*，王晓彧，何厚军，任雷，李桃生中国科学院合肥物质科学研究院中国科学技术大学湖北科技学院

《宽禁带半导体材料中载流子调控的普适性原理探讨》作者：黄丰单位：中山大学材料学院

报告嘉宾：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员 黄勇 主题报告：《锑化物半导体材料及器件》

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺