超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices张兴旺中国科学院半导体所研究员ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

陈雄斌研究员在报告中介绍了单向710Mbps传输VLC系统和对称的100Mbps互联网接入系统。他表示，可见光通信这项无线光通信新技术比

中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。

中国科学院半导体研究所研究员，科技部重点研发计划专项项目负责人王军喜分享《深紫外LED研发进展及国家重点研发计划深紫外项目》

报告简介：基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亚伟 中国科学院半导体研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。 她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成

中国科学院半导体研究所副研究员杨华在介绍了照明与显示技术的集成框架研究报告。他表示，技术、成本和应用场景是照明与现实技术融合的关键因素。通过对光源技术发展的分析目前主要的照明技术与显示技术的基本架构、控制难度和成本组成。给出了照明与现实技术融合的技术与成本条件。同时对照明与现实技术融合的应用场景进行了分类分析。 　　照明和显示的融合是随着灯具技术适应更多样化的需求以及显示控制技术成本的降低，使得产品既能提供一定显示功能，同时也能够提供照明功能技术趋势，它主要涉及到的技术内容可能包括廉价怎么降低成本

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择