蓝宝石衬底InGaN基红色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新强北京大学教授、北大东莞光电研究院院长WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University

Additional Light Components Decrease the Light Damage on Rats Retina聂靖昕北京大学NIE JingxiPeking University

超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大学工学院特聘研究员SONG BaiProfessor of Peking University

光照治疗提高抑郁发作患者的脑功能light therapy improves brain functioning of patients with depression党卫民北京大学第六医院（北京大学精神卫生研究所）精神科医生、心理治疗师DANG WeiminPsychiatristPsychotherapist Peking University Sixth Hospital (Peking University Institute of Mental Health)

AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分

基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学

基于拓扑半金属的高性能光电探测孙栋北京大学

面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院

北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。

垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。

北京大学刘放做了题为高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。

北京大学东莞光电研究院生物光环境研究中心副教授王永志分享了模拟自然光在农业生产中的应用主题报告。

北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在 优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。

北京大学教授陈志忠介绍了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED。陈志忠表示，GaN基青光LED通过低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长得到。首先在成核层上进行两步法高温生长GaN模板，接着在模板上生长青光LED，波长为490nm。通......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！