用于Micro LED芯片规模量产化的化学剥离生长衬底技术Chemical Peel Growth Substrate Technology for Mass Production of Micro LED Chips郝茂盛上海芯元基半导体科技有限公司总经理HAO MaoshengGeneral Manager of Shanghai Chipfoundation Semiconductor Technology Co., Ltd.
半导体行业对高纯电子化学品质量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亚格盛电子新材料有限公司副总经理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd
美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
