47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鹏搏中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理DUPengboSenior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd

南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G