异质集成氮化镓功率模块的量产制造工艺研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江实验室研究员WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

SiC功率器件制造装备技术及发展趋势Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所、半导体装备研究部主任Xiaoliang GONGDirector of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

耐高温无机胶及白光/深紫外LED封装研究Enhanced heat dissipation of high-power WLEDs through creation of 3D dams on ceramic substrate with geopolymer/graphene paste孙庆磊中国地质大学（武汉）先进制造中心副教授SUN QingleiAssociate Professor of Advanced Manufacturing Center of China University of Geosciences (Wuhan)

GaN/SiC功率器件在航天电源的应用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply万成安北京卫星制造厂有限公司领域总师WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT介绍了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解决方案》主题报告。他介绍说，爱思强的行星式反应器平台是生产具有最高一致性、重复性和缺陷控制标准的化合物半导体器件的已建立的平台，例如用VCSEL激光器证明的3D传感器技术，这是当前高容量需求的关键驱动因素之一。同样的要求组合也适用于Micro-LED技术：在低的缺陷水平下，结合外延层的高通量结构具有非常高的精度。行星式反应器平台技术已经被

美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏：关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到，微型LED显示屏比其他显示技术，如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加坚固柔韧。然而，微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂，这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时，微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出，从外延和LE

佛山市国星光电股份有限公司植物照明项目负责人李宏浩介绍了《植物照明LED光源发展趋势及其制造技术》研究报告。近些年，国星光电加大力度投入植物照明LED领域的技术研究和产品开发，并与国内外多家知名院校达成深度合作关系，取得了突破性的进展。国星植物照明LED产品大大提升了产品的出光面积和空间分布均匀度，有效降低植物工厂同等面积下LED光照使用的成本；提高了单位面积光量子通量，满足植物生长特殊需求，切实解决客户痛点

随着半导体照明的发展，尤其是室内照明的推进，人们对其效率和显色指数（Color rendering index, CRI）等品质参数等提出了更高的要求。中南大学教授汪炼成做了题为设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究的主题报告。汪炼成科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、

美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型

2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。