基于量产的氮化镓基光电子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA苏州思体尔软件科技有限公司总经理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.

面向AR微显示应用的超小尺寸氮化物Micro-LED研究Study on ultra-small III-nitride Micro-LEDs for AR applications汪莱清华大学信息电子工程系光电子研究所所长WANG LaiInstitute of Information Optoelectronic Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University

氮化镓光电子融合集成及应用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications严嘉彬南京邮电大学教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications

宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据

Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授

《III族氮化物极性调控在光电子及电力电子器件中的新应用》作者：郭炜，陈荔，徐厚强，戴贻钧，林伟，康俊勇, 叶继春单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，厦门大学

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种