第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究

GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司

InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学

单片集成发光探测的深紫外micro-LED阵列光通信应用单心怡，田朋飞*，朱世杰，仇鹏江，钱泽渊，林润泽，汪舟，崔旭高复旦大学

GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学

面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学