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湖北大学陈兴驰：基于
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湖北大学陈兴驰：基于
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰，陈剑，樊启贤，毛佳兴，张忠辉，许雅俊，卢寅梅，何云斌*湖北大学
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guansheng2022-09-01 16:22
浙江大学杨树：基于界
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浙江大学杨树：基于界
基于界面调控的垂直型GaN功率二极管研究杨树浙江大学
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guansheng2022-09-01 14:37
北京大学刘轩：基于结
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北京大学刘轩：基于结
基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学
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guansheng2022-09-01 13:46
中电科13所高楠：MOCV
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中电科13所高楠：MOCV
MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院微电子所黄森：
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中科院微电子所黄森：
全GaN功率器件与集成研究黄森*，蒋其梦，王鑫华，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
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guansheng2022-09-01 13:43
中科院苏州纳米所孙钱
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中科院苏州纳米所孙钱
硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 13:42
南京大学周峰：从应
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南京大学周峰：从应
从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学
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guansheng2022-09-01 13:29
中科院苏州纳米所郭小
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中科院苏州纳米所郭小
1200V级硅衬底GaN纵向PiN功率二极管郭小路，钟耀宗，周宇，陈昕，闫书萌，刘建勋，孙秀建，孙钱*，杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 12:50
中国科学院微电子所金
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中国科学院微电子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
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guansheng2022-09-01 12:49
南京大学陈鹏：GaN基
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南京大学陈鹏：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 12:38
中科院宁波材料所郭炜
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中科院宁波材料所郭炜
基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京纳米所胡卫
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中科院北京纳米所胡卫
压电能带工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡卫国*中国科学院北京纳米能源与系统研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
南京大学王海萍:基于
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南京大学王海萍:基于
基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 12:16
江苏第三代半导体研究
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江苏第三代半导体研究
GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
南京大学庄喆：InGaN
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南京大学庄喆：InGaN
InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学
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guansheng2022-09-01 11:34
清华大学汪莱：GaN基
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清华大学汪莱：GaN基
GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学
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guansheng2022-09-01 11:30
北京大学陈兆营：面向
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北京大学陈兆营：面向
面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学
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guansheng2022-09-01 11:23