研究_MOCVD2022_视频搜索

首页 > 视频 > 搜索

中国科学院半导体研究
21100
中国科学院半导体研究
当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，双碳战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产
211000
guansheng2022-09-10 15:45
中国科学院北京纳米能
19980
中国科学院北京纳米能
宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据
199800
guansheng2022-09-10 15:42
中国科学院苏州纳米技
12270
中国科学院苏州纳米技
常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生
122700
guansheng2022-09-09 15:53
山东大学徐现刚教授：
21740
山东大学徐现刚教授：
半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
217400
guansheng2022-09-09 15:50
南京大学叶建东：氧化
7070
南京大学叶建东：氧化
氧化镓基双极型异质结功率器件研究叶建东*，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓南京大学
70700
guansheng2022-09-02 16:02
湖北大学陈兴驰：基于
7500
湖北大学陈兴驰：基于
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰，陈剑，樊启贤，毛佳兴，张忠辉，许雅俊，卢寅梅，何云斌*湖北大学
75000
guansheng2022-09-01 16:22
南京大学汪正鹏：NiO/
6330
南京大学汪正鹏：NiO/
NiO/-Ga2O3p+-n异质结二极管深能级缺陷研究汪正鹏，巩贺贺，郁鑫鑫，叶建东*，顾书林，任芳芳，张荣，郑有炓南京大学
63300
guansheng2022-09-01 16:20
大连理工大学张赫之：
7790
大连理工大学张赫之：
两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所
77900
guansheng2022-09-01 16:19
山东大学贾志泰：大尺
9160
山东大学贾志泰：大尺
大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学
91600
guansheng2022-09-01 16:18
湖北大学何云斌：Ga2O
9720
湖北大学何云斌：Ga2O
Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学
97200
guansheng2022-09-01 16:16
中科院合肥物质科学研
5430
中科院合肥物质科学研
一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池张佳辰，韩运成*，王晓彧，何厚军，任雷，李桃生中国科学院合肥物质科学研究院中国科学技术大学湖北科技学院
54300
guansheng2022-09-01 16:11
南京大学巩贺贺：氧化
7500
南京大学巩贺贺：氧化
氧化镓肖特基二极管热管理研究巩贺贺，周峰，叶建东*，陆海，顾书林，张荣，郑有炓南京大学
75000
guansheng2022-09-01 16:10
浙江大学杨树：基于界
6720
浙江大学杨树：基于界
基于界面调控的垂直型GaN功率二极管研究杨树浙江大学
67200
guansheng2022-09-01 14:37
中科院微电子所黄森：
5570
中科院微电子所黄森：
全GaN功率器件与集成研究黄森*，蒋其梦，王鑫华，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
55700
guansheng2022-09-01 13:43
中科院苏州纳米所孙钱
5520
中科院苏州纳米所孙钱
硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
55200
guansheng2022-09-01 13:42
中国科学院微电子所金
5670
中国科学院微电子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
56700
guansheng2022-09-01 12:49
南京大学陈鹏：GaN基
5440
南京大学陈鹏：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学
54400
guansheng2022-09-01 12:38
中科院宁波材料所郭炜
8530
中科院宁波材料所郭炜
基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所
85300
guansheng2022-09-01 12:27
西安电子科技大学张进
6460
西安电子科技大学张进
势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究张进成*，党魁，周弘，张涛，赵胜雷，毛维，郝跃西安电子科技大学
64600
guansheng2022-09-01 12:20
深圳大学范泽龙:基于
5490
深圳大学范泽龙:基于
基于带状氮化铝晶体真空紫外探测器研究范泽龙，武红磊，孙振华深圳大学
54900
guansheng2022-09-01 12:17