常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所

大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学

MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所

锑化物超晶格红外探测器的MOCVD生长技术研究吴东海中国科学院半导体研究所