常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究张进成*，党魁，周弘，张涛，赵胜雷，毛维，郝跃西安电子科技大学