第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究

常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举，邹燕妮，赵晓龙*，侯小虎，张中方，丁梦璠，于舜杰，马晓兰，徐光伟，胡芹*，龙世兵中国科学技术大学

氧化镓半导体器件龙世兵*，徐光伟，赵晓龙，侯小虎中国科学技术大学

锑化物超晶格红外探测器的MOCVD生长技术研究吴东海中国科学院半导体研究所