常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学

从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学

宽禁带氧化物半导体日盲紫外探测器及其在大气臭氧检测中的应用研究刘可为*，陈星，杨佳霖，韩冬阳，侯其超，申德振中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

单片集成发光探测的深紫外micro-LED阵列光通信应用单心怡，田朋飞*，朱世杰，仇鹏江，钱泽渊，林润泽，汪舟，崔旭高复旦大学

面向可见光通信与传感应用的微小尺寸LED器件研究刘斌*，许非凡，王彬，陶涛，田朋飞，王国斌，徐科，黄凯，张荣南京大学