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以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分

一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池张佳辰，韩运成*，王晓彧，何厚军，任雷，李桃生中国科学院合肥物质科学研究院中国科学技术大学湖北科技学院

基于宽禁带半导体的深紫外发光与探测器件研究吴峰*，戴江南，陈长清华中科技大学

宽禁带半导体紫外、极紫外及软x射线探测器陆海*，张荣，郑有炓南京大学